晶体管动态特性测试系统ST-AC1200

晶体管动态特性测试系统ST-AC1200

晶体管动态特性测试系统ST-AC1200
基础信息
高压源：1200V（选配2000V）
高流源：100A（选配200A/300A/500A）
驱动电压：±20V（选配±30V）
时间分辨率：1ns（选配400ps/200ps/100ps）
系统杂感：＜20nH
测试对象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（选配BJT）
变温测试：常温~150℃/200℃
感性负载：程控电感（0.01~160mH，步进10uH）
阻性负载：程控电阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）备用三个
测试管型：可以测试N沟道和P沟道的IGBTs,MOSFETs
测试标准：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023

晶体管动态特性测试系统ST-AC1200
技术特点
专注宽禁带功率器件动态参数评测，软件程控，测试条件界面化输入，系统闭环处理，自动调节一键测试；
采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强；
自动加热可由室温~200℃，精度±0.1℃；
测试结果Excel，JPEG波形，波形任意缩放细节展宽分析
测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测);
栅极驱动电阻Rg端口开放，按设定条件匹配电阻；
DualARM控核，DSP数据采样计算，极大减少控制时延误差；

晶体管动态特性测试系统ST-AC1200
试验能力
√标配，开通特性测试单元/Turn_ON
√标配，关断特性测试单元/Turn_OFF
√标配，二极管反向恢复测试单元/Trr
√标配，栅电荷测试单元/Qg¨
选配，容阻测试单元/CR¨
选配，短路测试单元/SC¨
选配，雪崩测试单元/UIS¨
选配，安全工作区单元/SOA¨
选配，动态电阻单元/

晶体管动态特性测试系统ST-AC1200
参数指标

√ 标配（阻性/感性）开关测试单元 / Turn_ON/OFF
漏极电压： 5V-1200V， 分辨率 1V
漏极电流： 1A-100A， 分辨率1A；
栅极驱动： ±20V （选配±30V）， 分辨率 0.1V
栅极电流： 2A/MAX
脉冲宽度： 1us-500us,步进 0.1us
时间精度： 1ns
感性负载： 0.01mH-160mH 程序控制， 步进 10uH
阻性负载： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω , 程控， 备用三个电阻
开关时间： ton/toff： 1-10000ns分辨率1ns （选配400/200/100ps）
开关延迟： td(on)/td(off）： 0.1-10000ns@1ns （选配400/200/100ps）
上下时间/tr/tf： 1-10000ns分辨率1ns （选配400/200/100ps）
开关损耗/ Eon/Eoff： 1-2000mJ 小分辨率 1uJ


√ 标配 栅极电荷单元 / Qg
驱动电流： 0-2mA， 分辨率 0.01mA
2-20mA， 分辨率 0.1mA
20mA-200mA， 分辨率 1mA
栅极电压： ±20V （选配±30V） @0.1V
恒流源负载： 1-25A， 分辨率0.1A
25-100A(选配200A/300A)@1A
漏极电压： 5-100V， 步进 0.1V
V， 步进 1.0V
栅极电荷 Qg： 1nC-100µC
漏极电荷 Qgs： 1nC-100µC
源极电荷 Qgd： 1nC-100µC
平台电压 Vgp： 0~30V， 分辨率 0.1V

√ 标配 二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD
正向电流： 1A-25A， 分辨率 0.1A
25A-100A （选配200A/300A） 分辨率 1A
反向电压： 5v-100V， 步进 0.1V
100V-1200V， 步进 1.0v
反向恢复时间 Trr： 1-10000ns， 小分辨率1ns （选配400/200/100ps）
反向恢复电荷 Qrr： 1nC-100µC， 小分辨率 1nC；
反向恢复电流 Irm： 1A-100A （选配200A/300A）；
反向恢复损耗 Erec： 1-2000mJ， 小分辨率 1uJ；
电流下降率 dif/dt： 50-1kA/us；
电压变化率 dv/dt： 50-1kV/us。

 选配 短路特性测试单元/ SC
电流： 1000A/MAX
脉宽： 1us~100us
栅驱电压： ±20V （选配±30V） @0.1V
漏极电压： 5V~100V， 0.1V 分辨率
100V~1200V， 1.0V 分辨率

 选配 雪崩测试单元 / UIS
雪崩耐量/EAS： 100J
雪崩击穿电压/2500V
雪崩电流/IAS： 1.0-400A 分辨率 1.0A
感性负载/0.01-160mH@10μH， 程控可调

 选配 容阻测试单元 / CR
扫频范围： 0.1MHz～5MHz
漏源极电压： 1200V， 分辨率 1V

 选配 动态电阻Ron,dy